王守武,半导体器件物理学家。1919年3月生于江苏。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位,1949年获博士学位。中国科学院微电子所名誉所长。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起,在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中,提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究,解决了一系列技术难题,使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高,成本大为降低。1980年当选为中国科学院院士(学部委员)。