李京波

  李京波,男,博士,研究员,博士生导师。 

  2007年入选中科院百人计划2009年获国家杰出青年基金2001年毕业于中国科学院半导体研究所,获得理学博士学位。2001年至2004年,在美国伯克利劳伦斯国家实验室做博士后;2004年至2007年,美国再生能源国家实验室助理研究员;20075月,入选中国科学院百人计划,同时进入半导体超晶格国家重点实验室工作,从事半导体掺杂机制和纳米材料的研究。 

  取得的重要科研成果及所获奖励: 

  在半导体掺杂机制和纳米材料等前沿领域中取得的一系列创新性研究成果:(1)发表了一百余篇论文(其中Nature一篇,Nature Material一篇,PRL六篇,Nano Letters四篇,JACS二篇,APL十八篇,PRB/JPCC三十六篇),对半导体光电材料与器件的设计有重要的指导作用。(2)首次从理论上研究了形状对纳米团簇电子态的影响,并且对相关的实验进行了解释。(3)与合作者提出了Charge Patching方法,实现了上万原子的第一性原理精度计算,该方法特别适用于大原胞的半导体合金和纳米团簇的大规模计算。(4)对半导体掺杂机制有深入的研究,提出GaNZnO等实现p-型掺杂的实验模型,并用第一性原理进行计算,获得国际同行的广泛关注。(5)首次研究了量子点中杂质的稳定性, 预言在硅掺杂的GaAs量子点中,如量子点的尺寸小于14纳米,将出现DX深能级中心。(6)首次预言了CdS量子点比CdSe量子点更容易观察到暗激子现象,该预言被美国P.F.Barbara教授的实验小组所证实。论文已经被国际同行高度评价和大量引用,至今已被引用两千余次。200892日《科技日报》第十版以《李京波:半导体照明学科带头人》为题报道了其最新研究进展。2009317日《自然》(亚洲材料)报道了其研究小组在光催化材料研究中取得的重要进展。2009年获国家杰出青年基金(信息学部)。2011年获浙江省千人计划荣誉称号,2012年中科院百人计划终期评估,获评优秀  

  联系方式: 

  E-mailjbli@semi.ac.cn;  电话:010-82304982 

  完成/在研主要项目: 

  1. 中国科学院百人计划启动基金 (2007年,70万元) 

  2. 中科院重大项目ZnO宽禁带半导体材料的掺杂特性理论研究2006年至2009年,30万元)。 

  3. 中科院半导体所三期创新方向性重大项目与固态照明相关物理和器件的研究2007年至2009年,160万元)。 

  4. 中国科学院百人计划2008年至2012年,200万元)。 

  5. 国家杰出青年基金(2009年至2013年,200万元)。 

  6. 863计划新材料领域2008年重点项目(首席专家)—“高效氮化物LED材料及芯片关键技术,(2009年至2012年,946万元)。 

  7. 中科院-英研究理事会(EPSRC)合作项目Semiconductor nanocrystals for solar cells: Tuning shape,size and interface effects2011年至2014年,45万元,英方30万英镑)。 

  8. 973项目《以Dirac系统为代表的低维量子体系的新奇量子现象研究》子课题(2011年至2016年,150万元)。 

  代表性论著: 

  1) Origin and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d0 semiconductors, H. W. Peng, H. J. Xiang, S. H. Wei*, S. S. Li, J. B. Xia, and Jingbo Li*, Phys. Rev. Lett. 102, 017201 (2009).被引用103次。 

  2) Design of narrow-gap TiO2 for enhanced photoelectrochecmical activity: A passivated codoping approach, Y. Q. Gai, Jingbo Li*, S. S. Li, J. B. Xia, and S. H. Wei*, Phys. Rev. Lett. 102, 036402 (2009).被引用106次。 

  NATURE(Asia Materials): featured highlight: Green energy: Tailor made catalysts, March 17, 2009 

  http://www.natureasia.com/asia-materials/highlight.php?id=408 

  3) Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations, Jingbo Li, S. H. Wei, S.S. Li and J.-B. Xia, Phys. Rev. B.74, 081201 (2006).被引用87次。 

  4) Mutual Passivation of Donors and Isovalent Nitrogen in GaAs, Jingbo Li, P. Carrier, S.-H. Wei, S.-S. Li and J.-B. Xia, Phys. Rev. Lett.96, 035505 (2006). 

  5) Stability of DX center in GaAs Quantum Dots, Jingbo Li, S.-H. Wei, L.-W. Wang, Phys. Rev. Lett. 94, 185501 (2005). 被引用25次。 

  6) Band-structure-correlated local density approximation study of semiconductor quantum dots and wires, Jingbo Li and L.-W. Wang, Phys. Rev. B, 72, 125325 (2005). 被引用115次。 

  7) Colloidal nanocrystal heterostructures with linear and branched topology, D.J.Milliron, S.M.Hughes, Yi Cui, L.Manna, Jingbo Li, L.W.Wang and A. P. Alivisatos, Nature, 430, 190 (2004). 被引用601次。 

  NATURE highlights: Nanostructures: Improving the line, August 6 2004,Vol.2, No.16. 

  http://www.nature.com/nature/links/040708/040708-7.html 

  8) First principle study of core/shell quantum dots, Jingbo Li and L.W. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 3648 (2004). 被引用46次。 

  Highlight: Figure 2 is the cover story of APL 3 May 2004 issue. 

  9) Electronic Structure of InP Quantum Rods: Differences between Wurzite, Zinc Blende, and Different Orientations, Jingbo Li and L.W. Wang, Nano Letters, 4, 29 (2004). 被引用27次。 

  10) Two-versus three-dimensional quantum confinement in indium phosphide wires and dots, H.Yu, Jingbo Li, R. A. Loomis, L.W. Wang and W.E. Buhro, Nature Materials, 2, 517(2003). 被引用201次。 

  11) Shape Effects on Electronic States of Nanocrystals, Jingbo Li, and L.W. Wang, Nano Letters, 3, 1357 (2003). 被引用90次。 

  12) High Energy Excitations in CdSe Quantum Rods, Jingbo Li, and L.W. Wang, Nano Letters, 3, 101 (2003). 被引用46次。 



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