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| 郑厚植，物理学家。1942年出生于江苏省常州市。1965年到中国科学院半导体研究所工作至今，1986年晋升为研究员，1989年起任半导体超晶格国家重点实验室主任。1994－2002年任半导体研究所所长。主要从事半导体物理、低维物理等方面的科学研究并取得多项重要成果。80年代，在国内率先开展了低维半导体结构输运物理方面的多项开创性研究，在国际上最早研究了整数量子霍耳效应的尺寸效应、霍耳电势分布和强磁场下局域化的普适行为。在局域化诱导的和电子-电子相互作用诱导的量子电导修正、二维及一维电子量子输运、共振隧穿输运等方面作出了系统的重要成果。最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应，产生了显著影响并推进了国际上霍耳量子效应研究的深入发展。与英国Thornton同时独立地最早提出分裂栅控技术并用此技术实现了具有高迁移率一维异质结量子线，被广泛用来制成量子线、点等低维结构，被认为是近年来国际低维半导体结构物理的重要的先驱性工作。在黄昆教授指导下，为建设半导体超晶格国家重点实验室、组织“七五”、“八五”国家级重大科研项目和推动国内该学科的发展做了许多成效显著的工作。已发表研究论文近50篇，曾获中国科学院自然科学奖一等奖等多种奖励，在培养科技人才等方面做了大量工作。 |
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