邓惠雄，男，博士, 研究员。2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初，在美国再生能源国家实验室 (NREL) 从事博士后研究。2014年2月回到中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。2019年获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金资助。长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体光电功能材料的物性探究与设计的研究工作。主要成果有：在原子尺度阐明了金属杂质在不同半导体中的扩散机理；发展半导体掺杂与缺陷理论，修正了传统缺陷计算模型；提出了异价无序合金带隙的反统计平均行为和同价大失配合金的能带交叉模型；提出了非晶半导体间导电差异性的缺陷理论等等。迄今已经在Nature Energy、Phys. Rev. Lett.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B、Adv. Mater.等期刊上发表SCI论文50多篇。