袁国栋，博士，研究员，博士生导师。2006年获浙江大学工学博士学位，2006至2012年分别在香港城市大学、德国波鸿鲁尔大学和德国柏林洪堡大学从事博士后研究，2012年加入中科院半导体所，2014年获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金资助。2015年起担任中国科学院大学岗位教授。一直从事半导体材料及光电子芯片研究。揭示了H钝化硅纳米线表面空穴积累及分子吸附间关联机制，建立了氢分子和氧分子共存的氧化还原对和纳米结构材料体系核-壳理论模型；提出黑硅表面重构技术，有效平衡了黑硅光伏电池表面光子捕获及载流子复合间的矛盾，显著改善了光伏转换效率；面向硅基光电子/微电子集成，提出与CMOS兼容的Si（100）衬底V形槽技术，实现了高质量氮化物半极性量子结构生长，研制出半极性蓝光及黄光LED电致发光。近年来在Adv. Mater., Nano Lett., ACS Nano等国内外重要刊物上发表论文80余篇，SCI论文被他引2000多次。主要研究方向包括：硅量子计算及量子芯片；硅锗材料能带调控及发光性能；硅基光伏材料及光伏器件；硅基氮化物材料外延及长波长发光器件。