常凯

常凯,2005年杰出青年基金获得者
研究员,中科院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室。1996年于北京师范大学获博士学位;1996年至1998年中科院半导体所博士后;1998年至2000年比利时安特卫普大学Research Fellow;2006年香港中文大学杨振宁Fellowship。2001年任中科院半导体所研究员。2004年度国家自然科学二等奖获得者之一(夏建白、李树深、常凯、朱邦芬)。2006年度国家杰出青年基金获得者。Appl.Phys.Lett/J.Appl.Phys.和Solid State Commun. 审稿人。研究领域主要是半导体纳米结构的物理性质和半导体自旋电子学。目前在国际核心物理学期刊上共发表论文39篇。
从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应,并被国际上著名的实验组证实和引用。在国际上较早开展对球形层状量子点的理论研究,并预言了可能存在II型激子。发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子,解释了A.C.Gossard小组的实验工作。
近期主要研究工作集中在半导体自旋电子学方面。系统细致地研究了不同自旋注入方案的优缺点。尤其是稀磁半导体量子点注入方案可以克服强磁场的障碍,近期的实验结果支持我们的方案。研究了稀磁半导体二维电子气的纵向磁阻,理论与实验十分吻合。在此基础上,考虑自旋-轨道耦合,发现在弱磁场下可以在弱极化体系中实现共振自旋极化。近来发现为国际上广泛采用的线性Rashba自旋-轨道耦合模型在高电子浓度下严重偏离严格的数值结果,我们提出了非线性的Rashba模型能够很好地解释数值和实验结果,并提供了清晰的物理图象。
研究了稀磁半导体量子点的g因子调控,理论和实验十分吻合,并预言了g因子从负到正的转变。我们的工作被国际同行评为"打开了通往许多有趣基础物理问题的途径" 和"这一奇特的结果以前已经被报导过并提供了操纵和控制自旋特性新的可能性"。

近来研究兴趣主要是铁磁半导体的机制,低维半导体结构中自旋-轨道耦合和自旋霍尔效应,介观结构中自旋流,自旋态的弛豫和相干控制等。


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