陈涌海
陈涌海、博士，研究员，博士生导师，半导体材料科学重点实验室主任，曾任973项目首席科学家。1990年在北京大学获得学士学位，1993年在北京科技大学获得硕士学位，1998年在中科院半导体所获得博士学位，多次前往香港科技大学进行合作研究。长期从事半导体材料物理研究，目前主要研究方向包括：1）半导体低维结构材料研究，主要包括应变自组织半导体量子点（线）材料的生长动力学研究、光学和电学性质以及新型光电器件；2）新型复合纳米材料研究，包括半导体纳米颗粒、纳米线材料及其物性等；3）新型半导体光谱技术及应用，主要包括反射差分谱、微区光谱等；4）半导体自旋电子学研究，主要包括圆偏振自旋光电流等。先后主持了国家重点基础规划项目和课题、国家自然科学基金重大项目和面上项目、中科院重点项目等十余个科研项目。在国际知名学术刊物上发表SCI论文百余篇，获得国家授权发明专利十余项。曾获2004年国家重点基础研究计划（973）先进个人称号、2006年度杰出青年基金获得者、2009年新世纪百千万人才工程国家级人选等奖励和荣誉。
取得的主要学术成绩：1）在半导体低维结构的光学各向异性研究方面，将反射差分谱应用于半导体界面性质研究，揭示了界面原子偏析、界面结构和应变对量子阱光学偏振性质的重要影响；基于反射差分谱技术，提出了一种测量量子阱激子各向异性交换分裂的方法，并演示了应变对激子精细分裂的调控作用; 基于RDS技术，建立了半导体衬底材料表面亚损伤和内应力分布的新型表征技术，可用于我国晶片材料相关高技术企业的产品检测。2）在半导体纳米材料研究方面，提出并证实了组份调制表面上量子线生长的新模型；创新采用反射差分谱技术，观察到了InAs量子点生长演化中的新现象，揭示了应变自组织生长的物理机制；发现液滴外延生长中的临界现象，提出了浸润层耗尽生长的液滴外延生长模型；针对量子点发光行为，提出了多模尺寸分布量子点载流子通道数学模型、以及考虑了量子点隧穿效应的速率方程模型等。3）在半导体自旋电子学研究方面，利用单轴应变下的圆偏振自旋光电流（CPGE）技术，首次得到AlGaN/GaN异质结构2DEG体系中自旋轨道耦合系数，首次在常温和宏观尺度下观察到AlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs异质结构中由二维电子气(2DEG)自旋流产生的横向霍尔电流（逆自旋霍尔效应），提出了一种测量净自旋流的光电流方法等。
取得的主要学术成绩：1）在半导体低维结构的光学各向异性研究方面，将反射差分谱应用于半导体界面性质研究，揭示了界面原子偏析、界面结构和应变对量子阱光学偏振性质的重要影响；基于反射差分谱技术，提出了一种测量量子阱激子各向异性交换分裂的方法，并演示了应变对激子精细分裂的调控作用; 基于RDS技术，建立了半导体衬底材料表面亚损伤和内应力分布的新型表征技术，可用于我国晶片材料相关高技术企业的产品检测。2）在半导体纳米材料研究方面，提出并证实了组份调制表面上量子线生长的新模型；创新采用反射差分谱技术，观察到了InAs量子点生长演化中的新现象，揭示了应变自组织生长的物理机制；发现液滴外延生长中的临界现象，提出了浸润层耗尽生长的液滴外延生长模型；针对量子点发光行为，提出了多模尺寸分布量子点载流子通道数学模型、以及考虑了量子点隧穿效应的速率方程模型等。3）在半导体自旋电子学研究方面，利用单轴应变下的圆偏振自旋光电流（CPGE）技术，首次得到AlGaN/GaN异质结构2DEG体系中自旋轨道耦合系数，首次在常温和宏观尺度下观察到AlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs异质结构中由二维电子气(2DEG)自旋流产生的横向霍尔电流（逆自旋霍尔效应），提出了一种测量净自旋流的光电流方法等。
