牛智川，男，1963年4月生。1996年获得中国科学院半导体研究所理学博士学位。曾留学德国、美国。现任中科院半导体所研究员，博士生导师，半导体超晶格国家重点实验室—新型光电材料分子束外延课题组长。基金委“国家杰出青年科学基金”、人事部“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）”、“国务院政府特殊津贴”获得者。中国真空学会纳米与表面第五届学术委员会委员，中国真空学会第六届理事会理事，中国电子学会半导体与集成技术第七届委员会委员。

研究领域为半导体低维材料外延生长、受限光电子体系量子效应、高性能光电器件及新型量子器件制备。目前研究方向有：InAs量子点非经典光电效应及单光子量子器件；GaAs基InGaAsNSb材料与光电器件；异变纳米结构半导体多结高效太阳能电池、InAs/GaSb超晶格光电探测器件等。利用高指数面图形衬底各向异性，用原子氢辅助分子束外延生长出AlGaAs/GaAs量子点列阵；发现液滴分子束外延GaAs/AlGaAs非应变和InGaAs/GaAs应变量子环形成现象；提出InAs量子点的亚单原子层循环变温外延技术，大幅度提高均匀性，实现低、高密度量子点可控生长；研制成功1.31微米InAs量子点室温连续激光器，液氮温度电驱动InAs量子点单光子发射器件；研究GaInAs(N,Sb)/GaAs长波长材料，提出电子结构模型阐明含Sb元素稀N材料发光机制，发明真空气源瞬态开关控制技术突破外延生长难题；研制成功1.31微米垂直腔面发射激光器、1.55微米谐振腔增强探测器、国际上首次报道1.59微米室温连续激射激光器；研究了InGaAs/GaAs大In组分异变量子阱材料，提出In组分线性变化生长技术，首次实现低阈值1.33微米异变量子阱激光器，采用Sb诱导生长1.58 微米InGaAs/GaAs量子阱激光器实现室温激射。提出GaAs基AlSb成核和GaSb厚膜两步外延法，生长出了高质量GaSb/GaAs异变材料，国内首次报道2-5微米InAs/GaSb超晶格光导红外探测器。在Nature，Applied Physics Letter, Physics Review B.等发表论文80多篇。研究成果受到英国III-Vs Review，Compound Semiconductor, 美国Technique Insights, Laser Focus World等权威评价。获2006年度北京市科学技术奖基础类二等奖1项（排名第1）。有多名研究生获得中科院优秀奖和冠名奖。与瑞典、英国、俄罗斯等多个著名课题组开展了广泛国际合作，联合培养的博士生曾获得国家优秀留学生奖。