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中国科学院半导体研究所
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获奖

  • [中科院科技进步奖][三等奖]
    分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱超晶格材料制备的特性
  • [中科院科技进步奖][三等奖]
    高速双向负阻晶体管
  • [中科院科技进步奖][三等奖]
    砷化镓霍尔器件
  • [中科院科技进步奖][三等奖]
    固体化高压毫微秒脉冲电源
  • [国家科学技术进步奖][二等奖]
    分子束外延技术的研究
  • [国家科学技术进步奖][二等奖]
    提高砷化镓材料质量的研究
  • [国家科学技术进步奖][二等奖]
    光纤通信用短波长发射器件和探测器件
  • [国家科学技术进步奖][三等奖]
    可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
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关于 我们

      1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所开启了中国半导体科学技术的发展之路。

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