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中国科学院半导体研究所
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获奖

  • [中科院科技进步奖][三等奖]
    长波长InGaAs.APD光接收组件
  • [中科院自然科学奖][三等奖]
    半导体超晶格的静电光谱研究
  • [国家科学技术进步奖][二等奖]
    长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管
  • [国家科学技术进步奖][三等奖]
    电子级气体N2、H2、O2、Ar、He、HCl、CO2、NH3 28种杂质 分析技术及质量监控
  • [中科院科技进步奖][二等奖]
    长寿命卫星用SOS－CMOS集成电路五种电路研制
  • [中科院科技进步奖][二等奖]
    长波1.3 和1.5μm无致冷单模激光器研究
  • [中科院科技进步奖][二等奖]
    1.5μm分布反馈激光器
  • [中科院科技进步奖][二等奖]
    中科院文献资源合理布局
  • [中科院科技进步奖][三等奖]
    全平面结构8mm小功率开关保护器
  • [中科院科技进步奖][三等奖]
    集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究
  • [中科院科技进步奖][三等奖]
    半导体致冷材料与器件
  • [中科院自然科学奖][三等奖]
    砷化镓量子阱微结构的光反射调制谱研究
  • [北京市星火科技奖][一等奖]
    SSPW小型系列高纯水器
  • [国家科学技术进步奖][三等奖]
    微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究
  • [国家科学技术进步奖][三等奖]
    分子束外延GaAs-AlGaAs材料
  • [机电部科技进步奖][二等奖]
    硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱
  • [天津市科技合作奖][一等奖]
    半导体制冷技术和设备
  • [中科院科技进步奖][一等奖]
    八种气体中28种杂质全分析技术及质量监控
  • [中科院科技进步奖][二等奖]
    长波长InGaAs/InP雪崩光电二极管
  • [中科院科技进步奖][二等奖]
    8mm脉冲雪崩管振荡器
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关于 我们

      1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所开启了中国半导体科学技术的发展之路。

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