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获奖

[国家科学技术进步奖][三等奖]
环境中砷的治理和检测新方法、新设备
[铁道部科技进步奖][二等奖]
轨距及轨向检测装置
[中科院科技进步奖][一等奖]
1.55微米应变层量子阱分布反馈（DFB）激光器
[中科院科技进步奖][二等奖]
ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究
[中科院科技进步奖][二等奖]
DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器
[中科院科技进步奖][三等奖]
减压薄层硅外延片的研制
[中科院自然科学奖][三等奖]
Recursion 方法及其在复杂杂质问题中的应用
[铁道部科技进步奖][二等奖]
轨距及轨向检测装置
[国家科学技术进步奖][三等奖]
低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器
[中科院科技进步奖][一等奖]
低阈值1.3um InGaAs/InP 双区共腔双稳激光器
[中科院科技进步奖][二等奖]
高质量GaAs/AlGaAs二维电子气材料研制及其器件应用
[中科院自然科学奖][二等奖]
半导体超晶格量子阱喇曼散射微观理论
[中科院自然科学奖][二等奖]
俄歇电子能谱定量分析及有关效应的研究
[中科院自然科学奖][二等奖]
半导体应变超晶格的会电子束衍射研究
[中科院自然科学奖][三等奖]
稀土－铁－硼及稀土－铁－氮永磁材料的理论研究
[中科院科技进步奖][三等奖]
“31”工程用一期（首批、二批）抗辐射加固CMOS/SOS集成电路研制
[中科院自然科学奖][一等奖]
低维半导体量子输运
[中科院科技进步奖][二等奖]
MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用
[中科院科技进步奖][二等奖]
环境中砷的治理和检测的新方法、新设备
[中科院自然科学奖][三等奖]
半绝缘砷化镓中氧缺陷振动光谱及其光敏行为研究

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关于我们

1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所开启了中国半导体科学技术的发展之路。

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