成果编号:
成果名称:
获奖名称: 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术
获奖类别: 北京市科学技术奖
获奖等级: 一等奖
授奖部门: 北京市
获奖时间: 2012年
主要完成人: 李晋闽、王国宏、王军喜、伊晓燕、刘喆、梁毅、杨富华、曾一平、王良臣、刘志强、梁辉妙、王晓东、杨华、赵保红、 闫建昌
登记人:
开始日期: 2012年
结束日期: 2012年
完成单位: 中国科学院半导体研究所、北京朗波尔光电股份有限公司
成果介绍:
      本项目拥有国际独创性的自主知识产权技术,有效的解决了在高性能大功率LEDs领域核心专利缺失的关键问题,以实现高性能、高可靠性大功率LEDs为目标,围绕半导体照明用LEDs的衬底、外延、芯片及封装应用等技术领域,沿着结构-器件-性能-产品应用这一研究主线,建立了完善的技术发明创新体系,有效解决了从基础研究、前沿技术、应用技术到产业化示范半导体照明全产业链的关键技术,重点突破核心器件发光效率和可靠性两大技术瓶颈,在低热阻倒装背孔结构LED、复合光学膜、垂直结构LED技术、纳米图形衬底制备及其外延技术、自支撑氮化镓衬底LED技术、基于深紫外LED的新型半导体照明技术及创新应用、驱动及多功能应用方面取得了创新点,获得了包括两项美国授权发明专利在内的多项授权专利,LED的综合性能指标达到同类领先水平。培育高素质的创新团队,推动产业链和创新链向高端发展,培育龙头品牌企业,形成特色产业基地与产业集群。推动节能减排和拉动内需规划的实施,培育新的增长点,形成具有国际竞争力的战略性新兴产业。