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获奖
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
成果编号:
成果名称:
获奖名称:
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
获奖类别:
国家科学技术进步奖
获奖等级:
三等奖
授奖部门:
国务院
获奖时间:
1985年
主要完成人:
叶式中 刘巽琅 刘思林 孙同年 焦景华
登记人:
开始日期:
1985年
结束日期:
完成单位:
中国科学院半导体研究所
成果介绍: