成果编号:
成果名称:
获奖名称: GaP中N和N和Ni对束缚激子压力行为的研究
获奖类别: 中科院科技进步奖
获奖等级: 一等奖
授奖部门: 中国科学院
获奖时间: 1986年
主要完成人: 杨桂林 王炳森 赵学恕 李国华
登记人:
开始日期: 1986年
结束日期:
完成单位: 中科院半导体研究所
成果介绍: