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获奖
硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱
成果编号:
成果名称:
获奖名称:
硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱
获奖类别:
机电部科技进步奖
获奖等级:
二等奖
授奖部门:
获奖时间:
1990年
主要完成人:
张一心 菜田海 高维滨
登记人:
开始日期:
1990年
结束日期:
完成单位:
中科院半导体研究所
成果介绍: