成果编号:
成果名称:
获奖名称: ф2”和 ф3”非掺Si-GaAs单晶（片）研究
获奖类别: 中科院科技进步奖
获奖等级: 二等奖
授奖部门: 中国科学院
获奖时间: 1996年
主要完成人: 林兰英 曹福年 白玉珂 惠 峰 卜俊鹏 刘明焦 吴让元 何宏家
登记人:
开始日期: 1996年
结束日期:
完成单位: 中科院半导体研究所
成果介绍: